Features
- 대면적에 최적화된 Dual ICP Source(13.56MHz)
대면적의 균일성을 확보하기 위한 Dual ICP Source로 Center와 Edge의 Currant 조절이 가능하여 최고의 균일성을 제공하고 고밀도의 플라즈마를 형성하여 안정된 재현성과 생산성을 제공한다.
- 공정 Gas의 Center와 Edge의 Ratio조절이 가능하다.
FRC(Flow ratio controller)를 적용하여 Mix된 공정가스의 Center와 Edge간의 비율을 조절하여 균일성 확보에 유리하다.
- Face Down Chamber 제공가능
세계 최초의 Face down 공정을 적용하여 Particle 제어 효과, 세정 주기 연장등으로 최고의 생산수율을 확보
- 다양한 TRAY 제공
4인치, 6인치, 8인치의 Aluminum, SiC의 Batch type TRAY를 제공한다.
다양한 Flatform 제공
- MAXIS300L
- MAXIS800L
- MAXIS980L
- MAXIS480L
- MAXIS480LD
- MAXIS480LDG
- MAXIS480LDP
Process Data
| PSS |  |
|---|---|
| GaN |  |
| GaAs |  |
| AlGaInP |  |
